IXFN24N100

Маркировка

IXFN24N100

Описание

MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B

Производитель

IXYS

Характеристики IXFN24N100

  • Серия
    HiPerFET™
  • Производитель
    IXYS
  • FET Type
    MOSFET N-Channel, Metal Oxide
  • FET Feature
    Standard
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    390 mOhm @ 12A, 10V
  • Drain to Source Voltage (Vdss)
    1000V (1kV)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
    24A
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    5.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs
    267nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds
    8700pF @ 25V
  • Power - Max
    568W
  • Исполнение / Корпус
    SOT-227, miniBLOC
  • Упаковка
    Tube
Полная характеристикаСкрыть

Новости электроники

Еще новости



Электронные компоненты и радиодетали - Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.
Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.